高压超结VDMOS结构设计

• 作者: 丁召 傅兴华 杨发顺 杨法明 邓朝勇
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 纵向双扩散金属氧化物半导体 超结 电荷平衡 正向导通 反向击穿
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 硅微电子学
• 页码范围: 298-303
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3094字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2012.03.019

摘要

为改善高压功率VDMOS击穿电压和导通电阻之间的平方率关系,采用超结理论及其分析方法,结合电荷平衡理论,计算了超结VDMOS的理想结构参数,并利用仿真软件SILVACO对超结VDMOS的各个工艺参数(外延厚度,P柱掺杂剂量,阈值电压)进行了优化设计,对器件的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真分析.最终设计了一个击穿电压为815 V,比导通电阻为23 mΩ·cm2的超结VDMOS.