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Ka波段5W GaAs PHMET功率MMIC
Ka波段5W GaAs PHMET功率MMIC
作者:
张斌
林罡
陶洪琪
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
砷化镓功率放大器
Ka波段
微波单片集成电路
摘要:
报道了一款采用0.15 μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ka波段功率放大器芯片.芯片采用四级放大拓扑结构,在29~32 GHz频带范围内6V工作条件下线性增益25 dB,线性增益平坦度小于±0.75 dB;饱和输出功率大于5W,饱和效率大于20%,功率增益大于22 dB;1 dB压缩点输出功率大于36.5 dBm,效率大于18%.
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文献信息
篇名
Ka波段5W GaAs PHMET功率MMIC
来源期刊
固体电子学研究与进展
学科
工学
关键词
砷化镓功率放大器
Ka波段
微波单片集成电路
年,卷(期)
2012,(4)
所属期刊栏目
射频与微波
研究方向
页码范围
351-355
页数
分类号
TN43|TN722.7
字数
2221字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-3819.2012.04.009
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
林罡
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
15
107
5.0
10.0
2
张斌
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
25
123
7.0
10.0
3
陶洪琪
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
7
29
3.0
5.0
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研究主题发展历程
节点文献
砷化镓功率放大器
Ka波段
微波单片集成电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
固体电子学研究与进展
主办单位:
南京电子器件研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1000-3819
CN:
32-1110/TN
开本:
大16开
出版地:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
邮发代号:
创刊时间:
1981
语种:
chi
出版文献量(篇)
2483
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9851
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