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摘要:
报道了一款采用0.15 μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ka波段功率放大器芯片.芯片采用四级放大拓扑结构,在29~32 GHz频带范围内6V工作条件下线性增益25 dB,线性增益平坦度小于±0.75 dB;饱和输出功率大于5W,饱和效率大于20%,功率增益大于22 dB;1 dB压缩点输出功率大于36.5 dBm,效率大于18%.
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固态功率放大器
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Ka波段5W GaAs PHMET功率MMIC
来源期刊 固体电子学研究与进展 学科 工学
关键词 砷化镓功率放大器 Ka波段 微波单片集成电路
年,卷(期) 2012,(4) 所属期刊栏目 射频与微波
研究方向 页码范围 351-355
页数 分类号 TN43|TN722.7
字数 2221字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-3819.2012.04.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 林罡 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 15 107 5.0 10.0
2 张斌 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 25 123 7.0 10.0
3 陶洪琪 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 7 29 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
砷化镓功率放大器
Ka波段
微波单片集成电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
固体电子学研究与进展
双月刊
1000-3819
32-1110/TN
大16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
1981
chi
出版文献量(篇)
2483
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9851
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