基于XeF2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导

• 作者: 刘米丰 徐德辉 熊斌 王跃林
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 共面波导 插入损耗 二氟化氙 硅腐蚀 低阻硅衬底
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 射频与微波
• 页码范围: 456-462
• 分类号: TN81|TN405
• 字数: 4314字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2012.05.010

摘要

在低阻硅(1～10 Ω·cm)衬底上采用XeF2硅腐蚀工艺成功制备了长度为2 mm、结构尺寸为ω/s＝40/60 μm间断悬浮和全悬浮两种结构的共面波导.SEM照片显示器件释放后的悬浮结构未出现粘附或破裂现象.通过WYKO三维形貌观察得到两种结构共面波导悬浮信号线最大翘曲量分别为10μm和16μm.微波性能测试结果表明两种悬浮结构共面波导在1～10 GHz频率范围内插入损耗分别低于4.5 dB/2 mm和3.2 dB/2 mm,远小于制作在低阻硅衬底上的普通共面波导插入损耗9.4 dB/2 mm;在1～3 GHz频率范围内插入损耗分别低于0.54dB/2 mm和0.17 dB/2 mm,小于制作在高阻硅(1 400～1 500 Ω·cm)衬底上普通共面波导的插入损耗0.55 dB/2 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊斌	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术重点实验室	54	412	11.0	16.0
2	王跃林	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术重点实验室	84	623	14.0	18.0
3	刘米丰	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术重点实验室	2	3	1.0	1.0
7	徐德辉	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术重点实验室	12	28	3.0	4.0