MMIC高温工作加速寿命试验失效机理分析

• 作者: 徐波 林罡 耿涛 薛静 贾东铭 金毓铨 高建峰 黄念宁
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 微波单片集成电路 赝配高电子迁移率晶体管 高温工作寿命 失效分析
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 器件物理与器件模拟
• 页码范围: 542-547
• 页数: 6页
• 分类号: TN386|TN43
• 字数: 3552字
• 语种: 中文

摘要

采用恒定功耗高温加速的试验方法,搭建了相关的试验系统,对高温工作寿命试验(HTOL)方法在功率GaAs MMIC领域的应用进行了一些探索.试验获得了对失效机理进行分析所需的失效数,所有样品的失效都是由同一原因引起的.通过监测数据和失效样品的分析,发现存在欧姆接触退化与栅金属下沉两种失效机理,但最终引起失效的机理单一,为栅金属下沉.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高建峰		23	98	7.0	9.0
2	黄念宁		13	32	4.0	5.0
3	林罡		15	107	5.0	10.0
7	贾东铭		2	9	2.0	2.0
8	耿涛		4	16	2.0	4.0
9	徐波		3	6	1.0	2.0
10	薛静		1	6	1.0	1.0
11	金毓铨		5	19	3.0	4.0