隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管提取效率的计算

• 作者: 仉志华 沈光地 田咏桃 郭伟玲
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 铝镓铟磷 发光二极管 隧道结 提取效率
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 光电子学
• 页码范围: 80-84
• 页数: 5页
• 分类号: TN313
• 字数: 3541字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2006.01.019

摘要

建立了发光二极管提取效率的理论计算模型,分析了影响隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管提取效率的主要因素,包括从出光表面出射的光、体内的光吸收损耗、衬底对光的吸收损耗、金属电极对光的吸收损耗,模拟计算了隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管的提取效率,计算得到隧道再生双有源区AlGaInP LED管芯的上有源区和下有源区提取效率分别为5.24%和9.16%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学北京市光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	郭伟玲	北京工业大学北京市光电子技术实验室	74	656	10.0	23.0