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固体电子学研究与进展期刊
出版文献量（篇）
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9851

固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM... 更多
主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）
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2483
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  • 1. 纳电子器件的少电子输运性质及应用
    作者： 刘明 施毅 濮林 郑有炓 陈杰智
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  427-431
    摘要： 在介绍纳电子器件基本输运理论基础上,着重分析量子点结构器件模型,讨论了量子点上能级分立和电子填充的各种情况,以及电子自旋的影响,特别强调了纳米限制系统中局域态电子和非局域态电子相互作用特征....
  • 2. GaAs基上的InAs量子环制备
    作者： 叶小玲 李凯 王占国 金鹏
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  432-435
    摘要： 在分子束外延系统中,利用3 nm GaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500℃以及As2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环.这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和...
  • 3. 基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流模型
    作者： 孙建平 王伟 顾宁
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  436-439,444
    摘要： 运用一种全量子模型研究基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流,该方法特别适用于高k栅介质纳米MOS器件,还能用于多层高k栅介质纳米MOS器件.使用该方法研究了基于氧化铪高k介质氮含量等...
  • 4. 自组织量子点各向异性弹性应变场的数值分析
    作者： 俞重远 刘玉敏 封强 杨红波 郑世奇 黄永箴
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  440-444
    摘要： 用数值方法计算了量子点的各向异性弹性应变场,得到了对应不同各向异性度的量子点弹性应变场的分布云图和沿量子点对称轴横向、纵向应变、静水应变和双轴应变变化曲线图,讨论了各向异性弹性应变场对量子点...
  • 5. Sub-100 nm NMOS Halo工艺优化分析
    作者： 张兴 汪洋 王兵冰 黄如
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  445-449
    摘要： 短沟道效应是MOS器件特征尺寸进入Sub-100 nm后必须面对的关键挑战之一.Halo结构能够有效地抑制短沟道效应,合理的Halo区掺杂分布会极大地改善小尺寸器件性能.文中采用器件和工艺模...
  • 6. 基于等效电容法对SOI器件自加热效应研究
    作者： 刘梦新 安涛 张新 王彩琳 邢昆山 高勇
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  450-455
    摘要： 针对目前常规SOI器件高温特性存在的问题,提出了采用等效电容法分析器件自加热效应的新观点,对抑制自加热效应原理进行了新的解析,根据埋层材料的介电常数不同,按等效电容法进行埋层厚度折算.在此基...
  • 7. 一种计算集成VDMOS管导通电阻的3D解析模型
    作者： 洪慧 韩雁
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  456-459,465
    摘要： 功率集成电路要在同一块芯片上集成功率器件和低压电路.由于集成VDMOS器件的漏极也要从芯片表面引出,与常规的VDMOS器件相比其导通电阻计算有很大的差别.文中针对三维立体结构中器件的源胞个数...
  • 8. CMOS器件及其结构缺陷的显微红外发光现象研究
    作者： 方培源 王家楫 陈兆轶
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  460-465
    摘要： CMOS器件结构依靠其较低的功耗和高集成度而广泛应用于集成电路中,它在正常工作和发生失效时均存在微弱的显微红外发光现象.对CMOS结构的显微红外发光现象产生机制进行了研究和实际观察,将对深入...
  • 9. 用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷
    作者： 段小蓉 许铭真 谭长华 贾高升
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  466-470
    摘要： 应用直接隧道比例差分(DTPDO)谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷.实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰.这意味着在超薄栅氧化层退化的...
  • 10. 双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究
    作者： 任迪远 余学锋 艾尔肯 郭旗 陆妩
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  471-476
    摘要： 对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究.结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现...
  • 11. LTCC 450 MHz CDMA功放模块的研制
    作者： 吴健 戴雷 杨磊 王子良 许庆 钱峰
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  477-480
    摘要： 对LTCC埋层电感进行了研究,以研制体积小、低损耗、微波性能好的高密度功放模块.利用商用三维电磁场分析软件HFSS对LTCC集成化功率放大器PA组装和互连中的关键参数进行了仿真和优化.研制出...
  • 12. 96 MHz锥形叉指宽带声表面波滤波器
    作者： 王玉林
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  481-484
    摘要： 介绍声表面波锥形叉指换能器的基本原理,采用折线电极锥形叉指换能器制作的TD-SCDMA制式用96MHz宽带滤波器,1 dB带宽4.8 MHz,15 dB抑制小于6.4 MHz,插入衰耗约12...
  • 13. CMOS 0.13 μm共面波导建模与特性分析
    作者： 夏峻 李智群 王志功 陈勖
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  485-489
    摘要： 基于TSMC 0.13 μm CMOS工艺,对深亚微米硅基上的共面波导特性进行了研究.在分析中引入了保角映射等数值方法,给出了有效介电常数εeff、特征阻抗Z、单位电容C等传输线指标随几何参...
  • 14. Volterra级数在高频跨导线性度分析中的应用
    作者： 刘璐 李国林 王志华
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  490-493,509
    摘要： 将Volterra级数用于分析工作于高频,含有源级负反馈电阻的CMOS跨导级的线性度,为了降低计算的复杂性,将CMOS跨导视为两个非线性子系统的级联,计算了跨导的IIP3.使用的MOS管模型...
  • 15. 提高大功率激光器与光纤耦合效率的新型光腔
    作者： 于海鹰 刘莹 崔碧峰 沈光地 田增霞 邹德恕 陈依新
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  494-497
    摘要： 提出并实现了一种新型多有源区隧道级联大光腔半导体激光器,增大了半导体激光器激射窗口的高度,得到低于20°的垂直发散角,从而显著提高了激光器与光纤的耦合效率.将其与多种形式和规格的透镜光纤进行...
  • 16. 一种新的低压直流耦合1.25 Gb/s激光二极管驱动电路
    作者： 付生猛 陈朝阳
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  498-503
    摘要： 文中提出一种输出结构能克服传统的激光二极管驱动电路在直流耦合方式下不支持低电源电压操作的问题.新的APC能稳定输出平均光功率和消光比分别在0.3 dBm和土0.4 dB(-40℃～100℃)...
  • 17. 基于LOA的XPM波长转换信号消光比特性分析
    作者： 李诺晗 潘炜 罗斌 邹龙方
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  504-509
    摘要： 针对线性光放大器(LOA)的结构特点,建立了基于速率方程的模型.使用该模型分析了增益钳制特性和转换后信号的消光比.理论计算结果表明,分布式布拉格反射镜(DBR)形成的垂直光场对增益具有钳制作...
  • 18. 半导体器件发展历程及其展望
    作者： 肖德元 陈国庆
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  510-515,521
    摘要： 简述了半导体器件发展历程,及其对人类社会发展所产生的深刻影响.探讨了半导体器件所取得的最新研究成果以及它今天面临的挑战及未来发展趋势.最后阐述了世界半导体产业重心的转移及其给中国半导体产业发...
  • 19. 一种适用于射频电子标签的时钟数据恢复电路
    作者： 李强 胡建赟 闵昊
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  516-521
    摘要： 提出了一种适用于射频电子标签的时钟数据恢复电路,在电路中提出了一种适用于NRZ数据的新型鉴频鉴相器电路和自适应控制单元,能动态调节边沿检测器中延迟单元的延迟时间,使此时钟数据恢复电路具有大的...
  • 20. 一种基于最佳平方逼近算法的数字频率综合器
    作者： 吴建辉 姜爱鹏 邓青
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  522-526
    摘要： 提出一种基于最佳平方逼近算法的数字频率综合器的设计方法,同时采用非均匀分段纠正误差方式对输出正余弦波形进行优化.通过MATLAB系统仿真分析结果表明,采用这种新方法设计的数字频率综合器性能具...
  • 21. 一种低压CMOS衬底驱动共源共栅电流镜
    作者： 尹韬 朱樟明 杨银堂
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  527-530
    摘要： 基于PMOS衬底驱动技术设计了低压PMOS衬底驱动CMOS共源共栅电流镜电路(BDCCM),并讨论分析了其输入阻抗、输出阻抗和频率特性.BDCCM的最低输入压降要求只有0.4 V,但是其输入...
  • 22. 衬底驱动超低压CMOS带隙基准电压源
    作者： 张宝君 张海军 朱樟明 杨银堂
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  531-535
    摘要： 采用二阶温度补偿和电流反馈技术,设计实现了一种基于衬底驱动技术和电阻分压技术的超低压CMOS带隙基准电压源.采用衬底驱动超低压运算放大器作为基准源的负反馈,使其输出用于产生自身的电流源偏置,...
  • 23. 静态随机存储器数据残留特性研究
    作者： 张小波 杨雪莹 焦慧芳 贾新章 钟征宇
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  536-539
    摘要： 通常在安全处理系统中,微处理都将密钥储存在静态随机存储器(SRAM)中,如果SRAM的数据在断电后确实完全丢失,那么采取这样的对策是非常安全的,但是SRAM在断电后存在数据残留的问题,是系统...
  • 24. 超深亚微米高速互连的信号串扰研究
    作者： 史江一 方建平 朱志炜 郝跃 马晓华
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  540-544,559
    摘要： 探讨了超深亚微米设计中的高速互连线串扰产生机制,提出了一种描述高速互连串扰的电容、电感耦合模型,通过频域变换方法对模型的有效性进行了理论分析.针对0.18 μm工艺条件提出了该模型的测试结构...
  • 25. 砷化镓0.5μm PHEMT开关标准工艺研究
    作者： 吴振海 李拂晓 林罡 郑华 郑惟彬 黄庆安
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  545-549
    摘要： 采用PCM技术对砷化镓0.5 μm PHEMT开关进行工序能力评价(Cpk),运用统计过程控制(SPC)技术对采集的工艺数据进行分析,实现了开关工艺的稳定受控,工艺水平不断提高,砷化镓单片开...
  • 26. 抗蚀剂AZ4562曝光参数的变化趋势分析
    作者： 刘世杰 杜惊雷 杜春雷 罗铂靓 郭小伟 郭永康 陈铭勇 马延琴
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  550-554
    摘要： 针对厚胶曝光参数随不同光刻胶厚度及工艺条件变化的特点,在原有Dill曝光模型基础上,建立了适合于描述厚胶曝光过程的增强Dill模型,并将统计分析的趋势面法引入到厚胶曝光参数变化规律的研究中,...
  • 27. 纳米磨料对GaAs晶片的抛光研究
    作者： 李霞章 陈志刚 陈杨 陈爱莲
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  555-559
    摘要： 通过均相沉淀法制备了纳米CeO2和Al2O3粉体,研究了在相同抛光条件下纳米CeO2、SiO2和Al2O3磨料对GaAs晶片的抛光效果,并用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌并测量表面粗糙度...
  • 28. MOSFET的热载流子损伤及其退火
    作者： 任迪远 余学峰 张国强 艾尔肯 郭旗 陆妩
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  560-563
    摘要： 对国内常规54 HC工艺制作的PMOSFET进行了F-N热载流子注入损伤实验,研究了MOSFET跨导、阈电压等参数随热载流子注入的退化规律,特别是从微观氧化物电荷和界面态变化对阈电压影响角度...
  • 29. 砷化镓PIN管单片限幅器
    作者： 蒋幼泉 许正荣 陈新宇 黄子乾
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  封3
    摘要：

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）

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