用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷

• 作者: 段小蓉 许铭真 谭长华 贾高升
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属-氧化物-半导体器件 直接隧穿栅电流 比例差分谱 多缺陷
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 器件物理与器件模拟
• 页码范围: 466-470
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3322字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2006.04.009

摘要

应用直接隧道比例差分(DTPDO)谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷.实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰.这意味着在超薄栅氧化层退化的过程中有三种氧化层高场诱生缺陷共存.研究结果表明,三种缺陷的饱和缺陷密度均随着应力电压和应力温度的增加而增加.三种缺陷的特征产生时间常数与器件的实验温度、所加的应力电压和氧化层的失效时间相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子研究院	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子研究院	52	102	5.0	7.0
3	段小蓉	北京大学微电子研究院	9	26	3.0	5.0
4	贾高升	北京大学微电子研究院	2	3	1.0	1.0