GaAs基上的InAs量子环制备

• 作者: 叶小玲 李凯 王占国 金鹏
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化铟量子环 分子束外延 砷化铟量子点 覆盖
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米物理与器件
• 页码范围: 432-435
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2589字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2006.04.002

摘要

在分子束外延系统中,利用3 nm GaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500℃以及As2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环.这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长InAs自组装量子点时的淀积量.InAs在GaAs表面的扩散以及同时发生的In-Ga互混控制着InAs量子环的形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国	中国科学院半导体研究所	101	701	15.0	23.0
2	李凯	中国科学院半导体研究所	64	329	9.0	15.0
3	金鹏	中国科学院半导体研究所	29	262	7.0	16.0
4	叶小玲	中国科学院半导体研究所	9	25	3.0	4.0