衬底驱动超低压CMOS带隙基准电压源

• 作者: 张宝君 张海军 朱樟明 杨银堂
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 衬底驱动 超低压 互补金属氧化物半导体 带隙基准源 温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 硅微电子学
• 页码范围: 531-535
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 1802字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2006.04.022

摘要

采用二阶温度补偿和电流反馈技术,设计实现了一种基于衬底驱动技术和电阻分压技术的超低压CMOS带隙基准电压源.采用衬底驱动超低压运算放大器作为基准源的负反馈,使其输出用于产生自身的电流源偏置,其电源抑制比(PSRR)为-63.8 dB.采用Hspice仿真,在0.9 V电源电压下,输出基准电压为572.45 mV,温度系数为13.3 ppm/℃.在0.8～1.4 V电源电压范围内,输出基准电压变化3.5 mV.基于TSMC 0.25 μm 2P5MCMOS工艺实现的衬底驱动带隙基准电压源的版图面积为203 μm×478.1 μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	164	1318	18.0	26.0
3	张宝君	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	4	16	2.0	4.0
4	张海军	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	4	16	2.0	4.0