基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流模型

• 作者: 孙建平 王伟 顾宁
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 高k 栅电流 量子模型
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米物理与器件
• 页码范围: 436-439,444
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 2855字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2006.04.003

摘要

运用一种全量子模型研究基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流,该方法特别适用于高k栅介质纳米MOS器件,还能用于多层高k栅介质纳米MOS器件.使用该方法研究了基于氧化铪高k介质氮含量等元素对栅极电流的影响.结果显示,为最大限度减少MOS器件的栅电流,需要优化介质中氮含量、铝含量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾宁	东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室	182	1683	20.0	32.0
2	王伟	东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室	129	949	16.0	25.0
6	孙建平	美国密西根大学电气工程和计算机科学系	5	22	3.0	4.0