纳米磨料对GaAs晶片的抛光研究

• 作者: 李霞章 陈志刚 陈杨 陈爱莲
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米磨料 抛光 硬度 粗糙度
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与工艺
• 页码范围: 555-559
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3816字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2006.04.027

摘要

通过均相沉淀法制备了纳米CeO2和Al2O3粉体,研究了在相同抛光条件下纳米CeO2、SiO2和Al2O3磨料对GaAs晶片的抛光效果,并用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌并测量表面粗糙度.结果表明,使用纳米CeO2磨料抛光后的表面具有最低的表面粗糙度,在1 μm×1 μm范围内表面粗糙度Ra值为0.740 nm,而且表面的微观起伏更趋于平缓.文中还探讨了GaAs晶片化学机械抛光材料去除机理,考虑了纳米磨料在抛光条件下所发生的自身变形,并分析了纳米磨料硬度对抛光表面粗糙度的影响,初步解释了在相同的抛光条件下不同硬度的纳米磨料为什么具有不同的抛光表面粗糙度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈志刚	江苏工业学院材料系	90	1299	21.0	30.0
2	陈爱莲	江苏工业学院材料系	15	138	7.0	11.0
3	陈杨	江苏工业学院材料系	32	404	13.0	18.0
4	李霞章	江苏大学材料学院	21	267	11.0	15.0