静态随机存储器数据残留特性研究

• 作者: 张小波 杨雪莹 焦慧芳 贾新章 钟征宇
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 静态随机存储器 数据残留 温度 待机电流
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 硅微电子学
• 页码范围: 536-539
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 2884字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2006.04.023

摘要

通常在安全处理系统中,微处理都将密钥储存在静态随机存储器(SRAM)中,如果SRAM的数据在断电后确实完全丢失,那么采取这样的对策是非常安全的,但是SRAM在断电后存在数据残留的问题,是系统的一个重大安全隐患.针对信息系统的安全性,用实验方法进行了SRAM数据残留特性的研究,确定了多种SRAM数据残留的临界温度点,建立了数据残留时间与温度的相关关系,进行了数据残留特性与电参数的相关分析,提取出数据残留特性的特征电参数待机电流Iddsb,有助于进一步研究SRAM数据残留机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾新章	西安电子科技大学微电子学院	63	572	14.0	20.0
2	张小波	西安电子科技大学微电子学院	7	81	5.0	7.0
3	焦慧芳	西安电子科技大学微电子学院	15	73	5.0	8.0
7	杨雪莹		1	3	1.0	1.0
8	钟征宇		1	3	1.0	1.0