基于等效电容法对SOI器件自加热效应研究

• 作者: 刘梦新 安涛 张新 王彩琳 邢昆山 高勇
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上的硅 埋层结构 自加热效应 介电常数 高温特性
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 器件物理与器件模拟
• 页码范围: 450-455
• 页数: 6页
• 分类号: TN4
• 字数: 4254字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2006.04.006

摘要

针对目前常规SOI器件高温特性存在的问题,提出了采用等效电容法分析器件自加热效应的新观点,对抑制自加热效应原理进行了新的解析,根据埋层材料的介电常数不同,按等效电容法进行埋层厚度折算.在此基础上,提出了SOI器件的埋层新结构,并从介电常数的角度较好地验证了提出观点的正确性.最后得到,高介电常数等效埋层厚度的减小利于热泄散,高热导率的埋层材料提高了导热能力,在双重因素作用下有效抑制了自加热效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇		189	1184	15.0	26.0
2	王彩琳		43	203	8.0	12.0
3	刘梦新		9	19	3.0	4.0
4	安涛		50	182	7.0	11.0
5	张新		11	49	4.0	6.0
9	邢昆山		4	12	3.0	3.0