SITH负阻转折特性的分析模型

• 作者: 刘肃 姜岩峰 李思渊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SITH 负阻转折特性
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 器件研究与制造
• 页码范围: 20-22,31
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.7
• 字数: 2102字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.02.006

摘要

提出了一个用于分析SITH正向阻断态的新模型.这个模型在结构上类似于SCR.这样,就可以把SITH的二维分析简化为SCR的一维分析.我们应用了这个模型来分析SITH的负阻特性并且计算出了阳极正向转折电压,计算结果与实际测量值相符合,从而证明了这个模型的合理性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李思渊	兰州大学物理系静电感应器件研究所	25	113	7.0	9.0
2	刘肃	兰州大学物理系静电感应器件研究所	68	261	9.0	11.0
3	姜岩峰	兰州大学物理系静电感应器件研究所	5	4	1.0	1.0