感应耦合等离子刻蚀技术研究

• 作者: 冯培德 樊红安 王小斌 蒋军彪
• 来源期刊: 中国惯性技术学报
• 学科: 交通运输
• 关键词: 等离子体 干法刻蚀 谐振器
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 工艺与材料
• 页码范围: 62-66
• 页数: 5页
• 分类号: U666.1
• 字数: 2549字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-6734.2002.04.013

摘要

依据感应耦合等离子体的刻蚀机理,对影响刻蚀的两个重要参数及先进的硅刻蚀技术进行了较深入的研究,并对影响刻蚀效果的参数进行了实验研究,刻蚀出了20 μm深,2 μm 宽的谐振器结构,得到了最佳的工艺参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯培德		11	130	9.0	11.0
2	蒋军彪		3	32	3.0	3.0
3	樊红安		1	11	1.0	1.0
4	王小斌		1	11	1.0	1.0