低噪声、低功耗CMOS电荷泵锁相环设计

• 作者: 张瑞智 王洪魁 袁小云
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 低功耗 低噪声 锁相环 电荷泵
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 硅微电子
• 页码范围: 81-85
• 页数: 5页
• 分类号: TN911.8
• 字数: 1423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2004.01.017

摘要

设计了一种1.8 V、0.18 μm工艺的低噪声低功耗锁相环电路,其采用CSA(Current Steer Amplifier)架构的压控振荡器(VCO).整个电路功耗低,芯片面积为1 60 μm×1 20 μm,对电源和衬底噪声抑制能力强.经过Spice模拟表明,在有电源噪声的情况下,输出500 MHz时钟时周对周抖动小于41 ps,功耗为2.8 mW,最终与芯片的量测结果基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张瑞智	西安交通大学微电子研究所	21	145	7.0	11.0
2	王洪魁	西安交通大学微电子研究所	3	54	2.0	3.0
3	袁小云	西安交通大学微电子研究所	5	62	3.0	5.0