40～200GHz硅锗双极电路生产工艺和应用

• 作者: 张哲
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 工艺 SiGe BiCMOS
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 集成电路制造技术
• 页码范围: 35-37,43
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 字数: 2360字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.10.011

摘要

首先描述先进的0.18μm SiGe-biCMOS生产流程(SiGe 120)并讨论在设计SiGe 90时如何对性能、成本和特性进行平衡以应对通信市场的需求.在此基础上,我们讨论了针对40Gb以上通讯应用而开发的当今世界领先的200 GHz SiGe BiCMOS加工工艺.此工艺集成了双栅0.13μm的数字CMOS电路和SiGe晶体管电路.

作者信息

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1	张哲		1	0	0.0	0.0