纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术

• 作者: 成立 李春明 王振宇 祝俊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超大规模集成电路 特大规模集成电路 离子束掺杂技术 CMOS器件 纳米电子技术
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 集成电路制造技术
• 页码范围: 30-34,44
• 页数: 6页
• 分类号: TN305|TN47
• 字数: 4471字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.09.008

摘要

综述了集成电路(IC)中制备纳米CMOS器件的几种超浅结离子掺杂新技术,包括等离子体浸没掺杂、投射式气体浸入激光掺杂、快速汽相掺杂和离子淋浴掺杂等新技术,并对比分析了这几种掺杂技术各自的优缺点及其应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成立	江苏大学电气与信息工程学院	168	1567	21.0	32.0
2	王振宇	江苏大学电气与信息工程学院	81	628	15.0	21.0
3	李春明	南通工学院计算机科学系	6	90	5.0	6.0
4	祝俊	江苏大学电气与信息工程学院	26	279	9.0	16.0