源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

• 作者: 海潮和 赵洪辰 钱鹤 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 源区浅结 不对称SOI MOSFET 辐照效应
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 735-740
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 3948字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.06.024

摘要

研究了源区浅结的不对称SOI MOSFET对浮体效应的改善,模拟了总剂量、抗单粒子事件(SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响.这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高,并且随着源区深度的减小,抗总剂量辐照的能力不断加强.体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子中心	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子中心	122	412	10.0	12.0
3	赵洪辰	中国科学院微电子中心	10	29	4.0	5.0
4	钱鹤	中国科学院微电子中心	32	164	7.0	12.0