适用于高品质射频集成电感的多孔硅新型衬底制备技术

• 作者: 周毅 张国艳 杨利 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频集成电路 多孔硅 集成电感 品质因子
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1182-1186
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.95
• 字数: 1952字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.023

摘要

提出了背向选区腐蚀生长多孔硅的集成电感衬底结构.ASITIC模拟证明,该新型衬底结构的集成电感在高频下仍具有较高的品质因子.采用此工艺,在固定腐蚀液配比的条件下,变化电流密度和阳极氧化时间,制备出了高质量的厚膜多孔硅,并测量了多孔硅的生长厚度、孔径大小和表面形貌,得出了多孔硅生长速率随阳极氧化时间和电流密度的变化关系,为背向选区腐蚀工艺制备高品质硅基集成电感奠定了理论和实验基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨利	北京大学微电子所	3	5	2.0	2.0
2	张国艳	北京大学微电子所	48	187	6.0	12.0
3	周毅	北京大学微电子所	33	105	5.0	9.0
4	黄如	北京大学微电子所	87	413	9.0	17.0