4H-SiC同质外延中的缺陷

• 作者: 刘六亭 张岚 李哲洋 柏松 董逊 许晓军
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC LPCVD 同质外延 微管 位错 SEM
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: IC制造工艺
• 页码范围: 62-64,74
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2112字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2005.11.018

摘要

从实验出发,用LPCVD外延系统在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长.外延后在熔融KOH腐蚀液中进行腐蚀,使用SEM和光学显微镜表征方法探讨了CVD法4H-SiC同质外延中的位错、微管和孪晶等缺陷形貌,并分析其形成机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张岚		7	23	3.0	4.0
2	李哲洋		11	71	5.0	8.0
3	柏松		20	83	6.0	8.0
4	董逊		9	39	3.0	6.0
5	刘六亭		1	11	1.0	1.0
6	许晓军		3	13	2.0	3.0