4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究

• 作者: 柏松 陈刚 韩春林
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC MESFET 反应离子刻蚀 牺牲氧化 肖特基势垒
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: IC制造工艺
• 页码范围: 59-61
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2005.11.017

摘要

对于栅挖槽的4H-SiC MESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀,界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要.反应离子刻蚀的SiC表面平滑度不是很好,刻蚀损伤严重.选择合适的RIE刻蚀条件减小刻蚀对半导体表面的损伤;利用牺牲氧化改善刻蚀后的表面形貌,进一步减小表面的刻蚀损伤.工艺优化后栅的肖特基特性有了明显改善,理想因子接近于1.制成的4H-SiC MESFET 直流夹断特性良好,饱和电流密度达到350 mA/mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈刚		19	61	5.0	7.0
2	柏松		20	83	6.0	8.0
3	韩春林		3	15	3.0	3.0