VLSI工艺中BPSG薄膜的研究

• 作者: 姜斌 李如东 王强 邓宏
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 硼磷硅玻璃 常压化学气相沉积 磷酸硼结晶
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: TN
• 字数: 2194字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.01.018

摘要

BPSG(硼磷硅玻璃)薄膜作为一种重要的层间介质,在半导体集成电路中广泛使用.常压化学气相沉积的BPSG薄膜中B、P含量(质量分数)对BPSG的性能有着显著影响.以WJ-999R机台为基础,详细研究了B、P含量的变化对对BPSG薄膜的沉积率、蚀刻率及其对回流效果的影响.研究发现:沉积率随着B含量的增加而增加;当P含量由0至1%时沉积率突然降低,随后随P含量的增加无显著变化.蚀刻率则随B含量的增加而降低,随P含量的增加而增加.B含量对回流效果的影响显著强于P含量的影响,每增加1%的B,玻璃软化温度降低约40℃.过高过低的B、P含量会产生异常,在3%B,5%P含量下BPSG薄膜有着优良的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓宏	电子科技大学微电子与固体电子学院	72	653	14.0	22.0
2	王强	电子科技大学微电子与固体电子学院	21	62	4.0	6.0
3	姜斌	电子科技大学微电子与固体电子学院	21	169	6.0	12.0
4	李如东		1	4	1.0	1.0