纳米硅/氧化硅多层膜的电性能及结构研究

• 作者: 周丽梅 张发荣 薛钰芝 钟金德
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 硅/氧化硅 多层膜 真空蒸发 电性能
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 24-28
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 4207字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2006.02.007

摘要

用真空蒸发技术和自然氧化法在玻璃衬底上制备纳米级的硅/氧化硅薄膜和多层膜.本文采用三点法测定了常温、低温下的U-I特性,发现常温、低温下纳米量级的硅/氧化硅多层膜具有类似负阻的特性.SEM检测表明,硅/氧化硅多层膜的厚度和称重法所估算的厚度相符,薄膜表面均匀.TEM和XRD观察表明薄膜主要以无序状态存在,局部有晶化现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛钰芝		31	128	6.0	9.0
2	周丽梅		16	55	4.0	7.0
3	钟金德		3	3	1.0	1.0
4	张发荣		2	5	2.0	2.0