锗单晶片的碱性腐蚀特性分析

• 作者: 于妍 刘春香 吕菲 杨洪星 赵权 赵秀玲
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学腐蚀 光洁度 粗糙度
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 967-969
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2436字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.11.013

摘要

讨论了锗单晶研磨片在强碱性腐蚀液和弱碱性腐蚀液中的腐蚀特性.研究了锗单晶片在两种不同腐蚀液中的腐蚀速率随腐蚀液温度、浓度的变化规律.通过探索腐蚀速率、表面光洁度及腐蚀去除量和表面粗糙度的关系,可知腐蚀片表面光洁度和腐蚀速率有关而与去除量无关.腐蚀片的表面粗糙度和去除量有关,去除量越大,粗糙度越大.表面粗糙度也与腐蚀液的碱性强弱有关,当去除量相同时,在强碱性腐蚀液中的锗腐蚀片的表面粗糙度更小.在实际应用中,应针对不同目的,选择适宜的化学腐蚀工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕菲	中国电子科技集团公司第四十六研究所	24	88	6.0	8.0
2	赵权	中国电子科技集团公司第四十六研究所	30	136	6.0	9.0
3	于妍	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	39	3.0	6.0
4	赵秀玲	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	23	2.0	3.0
5	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
6	刘春香	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	79	5.0	7.0