制备工艺对ZnO薄膜的结构与光学性质的影响

• 作者: 丁瑞钦 朱慧群 汪河洲 王忆 胡怡 赵银平
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 射频磁控反应溅射 ZnO外延薄膜 光致发光
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2240字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.02.007

摘要

利用射频磁控反应溅射技术生长出具有高度晶面(0002)取向的ZnO外延薄膜.通过AFM、XRD、吸收光谱和荧光光谱等测试手段,分别研究分析了不同衬底、不同溅射气氛和退火对ZnO薄膜结构及光学性质的影响.研究表明,在200 ℃低温生长的硅基ZnO薄膜具有几百纳米的氧化锌准六角结构外形;当氧氩比为4:1(质量流量比)时,吸收谱激子峰最佳;退火后,激子峰(363 nm)加强,同时出现了402 nm的本征氧空位紫光发射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪河洲	中山大学光电材料与技术国家重点实验室	51	353	11.0	15.0
2	胡怡	暨南大学化学系	8	40	3.0	6.0
3	王忆	五邑大学薄膜与纳米材料研究所	59	242	8.0	12.0
4	朱慧群	五邑大学薄膜与纳米材料研究所	29	82	4.0	6.0
5	丁瑞钦	五邑大学薄膜与纳米材料研究所	29	115	6.0	9.0
6	赵银平	中山大学光电材料与技术国家重点实验室	1	3	1.0	1.0