LEC-GaAs晶体中残留杂质碳和硼的控制

• 作者: 吴元庆 周春锋 张亮 林健 赖占平 郭鑫
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 碳 硼 杂质
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 技术专栏
• 页码范围: 288-292
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 2746字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.04.004

摘要

在非掺杂LEC(liquid encapsulated Czochralski)半绝缘GaAs晶体中碳和硼是主要的残留杂质,这两种杂质影响衬底的半绝缘性能和制造的器件性能.在分析GaAs中碳、硼杂质结合和分离机理基础上,采取真空烘烧、降低氧化硼温度、控制氧化硼水含量和在富砷熔体中生长晶体等措施,达到了对GaAs晶体中残留杂质硼和碳的控制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张亮	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	14	2.0	3.0
2	周春锋	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	25	3.0	5.0
3	赖占平	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	34	4.0	5.0
4	林健	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	29	3.0	5.0
5	郭鑫	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	8	1.0	2.0
6	吴元庆	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	8	1.0	1.0