MIC薄膜多晶硅材料的动态镍吸除技术基本机理及其应用

• 作者: 吴春亚 孟志国 张芳 李阳 熊绍珍 王文 郭海成
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属诱导晶化多晶硅 磷硅玻璃 动态镍吸除 固溶度
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1574-1579
• 页数: 6页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 3734字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.10.015

摘要

首先阐述了MIC薄膜多晶硅材料动态镍吸杂技术的基本机理和主要工艺过程,然后以多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)为例研究了动态吸杂技术的应用.在研究金属诱导晶化多晶硅材料(MIC poly-Si)和以之为有源层的poly-Si TFT的过程中,发现在MIC多晶硅薄膜中含有部分残余的镍成份.而大部分存在于对撞晶界的残余镍成份会造成大量的缺陷,这将导致TFT器件性能乃至整个系统的稳定性和可靠性的降低.为了改善MIC薄膜及器件质量,我们采用磷硅玻璃(PSG)动态镍吸杂技术,有效地吸除镍,降低多晶硅中镍的残留量,改善对撞晶界的缺陷密度,降低用之制备TFT的漏电流.该技术工艺过程简单,处理成本低,适合于大批量的工业化生产,有望成为制备高稳定性微电子器件与电路系统的必需工艺技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭海成	香港科技大学电机与电子工程系	39	191	7.0	11.0
2	王文	香港科技大学电机与电子工程系	16	97	5.0	9.0
3	张芳		5	36	4.0	5.0