基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计

• 作者: 刘丹 刘新宇 刘果果 姚小江 李宾 李诚瞻 王晓亮 罗卫军 陈小娟 陈延湖 魏珂
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 功率合成器 混合集成电路 微波功率放大器
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 514-517
• 页数: 4页
• 分类号: TN325
• 字数: 382字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.008

摘要

研制了一种基于AlGaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路.该电路包含4个10×120 μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器.在偏置条件为VDS=40V,IDS=0.9A时,输出连续波饱和功率在5.4GHz达到41.4dBm,最大的PAE为32.54%,并且功率合成效率达到69%.