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摘要:
在直径300 mm Si片制备中,利用双面磨削技术能为后续加工提供高精度的表面,但Si片损伤层厚度较大.通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜对Si片表面及截面进行观察,得到了经不同粒径的砂轮磨削后的Si片的表面及截面形貌、Si片的表面及亚表面损伤层的厚度并进行了分析比较.结果表明,用粒度更小的3000#砂轮磨削,能够有效地降低Si片表面及亚表面损伤层的厚度,为优化300 mm单晶Si片双面磨削工艺、提高Si片表面磨削质量提供了清晰、量化的实验理论依据.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Si片磨削中砂轮粒径对Si片损伤层的影响
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 硅片 双面磨削 表面损伤 亚表面损伤
年,卷(期) 2008,(12) 所属期刊栏目 工艺技术与材料
研究方向 页码范围 1091-1094
页数 4页 分类号 TN305
字数 2431字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.12.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周旗钢 35 176 8.0 12.0
2 闫志瑞 5 83 3.0 5.0
3 肖清华 9 78 3.0 8.0
4 唐兴昌 1 0 0.0 0.0
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2008(1)
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研究主题发展历程
节点文献
硅片
双面磨削
表面损伤
亚表面损伤
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
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38
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