D-UHV/VCD系统中SiGe薄膜的低温生长

• 作者: 余金中 曾玉刚 韩根全
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe超高真空化学气相淀积 低温生长 x射线双晶衍射
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1889-1892
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.008

摘要

生长温度对SiGe合金的性能有重要影响.在双腔超高真空化学气相淀积生长中,通常采用液氮冷却的方法.该生长模式下,通入乙硅烷时腔内的生长气压约为10-5Pa,SiGe的最低生长温度约为550℃.为了降低生长温度,文中采用了不用液氮冷却的模式.腔内生长气压约为10-2Pa,增加3个数量级,并且将牛长温度降到了485℃,远低于传统的牛长温度.DCXRD测试和TEM图像表明,生长的SiGe薄膜和SiGe/Si超品格具有良好的晶格质量.结果证明,在LJHV/CVD系统中,这是一种有效的实现SiGe低温生长的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩根全	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	5	6	2.0	2.0
2	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	110	703	13.0	21.0
3	曾玉刚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	12	28	2.0	5.0