背入射Al0.42 Ga0.58 N/Al0.40 Ga0.60 N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器

• 作者: 丁嘉欣 司俊杰 孙维国 张向锋 张国义 成彩晶 桑立雯 赵鸿燕 鲁正雄
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳光盲紫外探测器理想因子 串联电阻 外量子效率 探测率
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 566-569
• 页数: 4页
• 分类号: TN36
• 字数: 1874字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.032

摘要

在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-I-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向Ⅰ-Ⅴ特性曲线计算了理想因子n与串联电阻Rs分别为3和93?器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm·Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国义	北京大学物理系	49	229	9.0	13.0
2	鲁正雄		19	80	5.0	7.0
3	司俊杰		33	160	7.0	11.0
4	赵鸿燕		25	147	7.0	11.0
5	张向锋		9	19	3.0	3.0
6	丁嘉欣		13	43	3.0	6.0
7	成彩晶		12	22	3.0	3.0
8	孙维国		20	99	5.0	8.0
9	桑立雯	北京大学物理系	2	4	1.0	2.0