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摘要:
利用RELACS化学收缩辅助技术制作了i线三层胶结构的"T"型栅.首先利用水溶性的化学收缩试剂RELACS,涂在曝光完成的光刻图形上,然后借由混合烘焙让光刻胶中的光酸分子因受热而产生扩散运动并进入到RELACS试剂内,催化RELACS试剂,让RELACS试剂中的高分子与交链分子产生交链反应,使得光刻胶表面形成新的一层不溶于水的交链层而达到光刻图形收缩的目的.此方法增加了细栅光刻的宽容度,降低了细栅光刻制作的难度,极易将0.5 μm的栅条收缩到0.3μm,甚至更小,不但有效地减小了栅长,而且提高了细栅光刻的成品率.RELACS技术可以应用于不同光刻胶类型的"T",型栅制作中.
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0.1μm T型栅PHEMT器件
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T型栅
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 利用RELACS辅助技术制作"T"型栅
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 分辨率增强光刻辅助化学收缩 "T"型栅 i线光刻胶 三层胶结构
年,卷(期) 2009,(8) 所属期刊栏目 器件制造与应用
研究方向 页码范围 748-750
页数 3页 分类号 TN305.7
字数 1858字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.08.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 付兴昌 中国电子科技集团公司第十三研究所 27 68 5.0 7.0
2 胡玲 中国电子科技集团公司第十三研究所 9 29 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
分辨率增强光刻辅助化学收缩
"T"型栅
i线光刻胶
三层胶结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
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38
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