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摘要:
伴随着LED照明产业的迅猛发展,高质量的GaAs抛光片需求量日益增大.研究了一种有效的直径5.08 cm低阻GaAs免洗抛光片的清洗技术,采用异丙醇低温超声去蜡结合兆声温法清洗工艺,使晶片表面达到了低表面颗粒度、极低表面金属离子浓度,并形成了较薄的富As氧化层表面.表面颗粒度通过Tencor6220测试大于0.3 μm的颗粒少于10个,通过TXRF测试表面金属离子个数均控制在9×1010/cm2以内;通过台阶仪测量表面粗糙度为0.8 nm,通过偏振光椭圆率测量仪测得均一的2 nm厚表面氧化层.
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文献信息
篇名 LED用GaAs抛光片清洗技术研究
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 发光二极管 表面颗粒度 金属离子浓度 表面粗糙度
年,卷(期) 2009,(5) 所属期刊栏目 技术专栏(光电器件技术)
研究方向 页码范围 446-448,458
页数 4页 分类号 TN305.97|TN312.8
字数 2639字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.05.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吕菲 中国电子科技集团公司第四十六研究所 24 88 6.0 8.0
2 赵权 中国电子科技集团公司第四十六研究所 30 136 6.0 9.0
3 杨洪星 中国电子科技集团公司第四十六研究所 50 145 6.0 8.0
4 牛沈军 中国电子科技集团公司第四十六研究所 6 40 4.0 6.0
5 王云彪 中国电子科技集团公司第四十六研究所 18 49 4.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
发光二极管
表面颗粒度
金属离子浓度
表面粗糙度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
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38
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