NH3掺杂ZnO薄膜的生长及特性

• 作者: 张宝林 张源涛 杜国同 马艳 高福斌
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌薄膜 氨气掺杂 金属有机物化学气相沉积 特性
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 119-122
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2|TN305.3
• 字数: 2661字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.02.004

摘要

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,以NH3作为N元素的掺杂源,在蓝宝石衬底上生长了掺N的ZnO薄膜.利用X射线衍射、X射线光电子能谱、原子力显微镜、霍尔测量及先致荧光光谱等测试技术分析了薄膜的结晶性质、表面形貌、光电性质及掺杂元素N的价键特性.结果表明,NH3 的掺杂会影响ZnO薄膜的结晶特性,薄膜虽然仍是(002) 面择优取向生长,但同时也出现了ZnO的(100)及(101)面生长.在薄膜生长时N元素掺入到ZnO薄膜当中,并形成N-Zn、N-H、N-C键.C、H杂质的存在,使掺N ZnO薄膜表现为高阻,同时也影响了薄膜的光致发光特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马艳	大连理工大学物理与光电工程学院	10	24	4.0	4.0
3	高福斌	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	8	24	4.0	4.0
4	张宝林	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	14	31	3.0	5.0
5	张源涛	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	13	21	3.0	4.0