织构ZnO:Al与p-μc-Si:H薄膜接触特性的研究

• 作者: 吴芳 王子健 王海燕 赵先林 高哲
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 织构ZnO Al p-μc-Si H薄膜 接触特性
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 51-54
• 页数: 4页
• 分类号: O484|TB43
• 字数: 2772字
• 语种: 中文

摘要

用PECVD法在不同织构ZnO:Al上沉积了p-μc-Si:H薄膜,研究了不同织构ZnO:Al与p-μc-Si:H薄膜的接触特性,研究结果表明:在织构后的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H薄膜的晶化率均大于在未织构的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H薄膜,且织构ZnO:Al与p-μc-Si:H薄膜的接触电阻也均小于未织构的,且织构时间最佳点为15 s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴芳	河南教育学院物理系	8	8	1.0	2.0
3	赵先林	河南教育学院物理系	19	31	3.0	4.0
4	王海燕	郑州大学材料物理实验室	62	372	11.0	16.0
5	高哲	郑州大学材料物理实验室	6	15	3.0	3.0
6	王子健	郑州大学材料物理实验室	5	22	2.0	4.0