沉积时间对Au/Si-NPA电学特性的影响

• 作者: 刘琨 富笑男 王信春 程莉娜 罗艳伟
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅纳米孔柱阵列(Si-NPA) I-V曲线 Au/Si-NPA 整流特性
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 40-42,47
• 分类号: O472.4
• 字数: 1710字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.06.012

摘要

采用浸渍法在硅纳米孔柱阵列(Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA)衬底上制得了一系列金/硅纳米孔柱阵列(Au/Si-NPA),不同Au/Si-NPA所用沉积时间不同.通过测试分析所制Au/Si-NPA的,I-V特性曲线,研究了沉积时间对Au/Si-NPA电学特性的影响.结果表明:在沉积时间小于30min时,Au/Si-NPA的正向电流随沉积时间的延长而减小;而当沉积时间超过30min时,Au/Si-NPA的正向电流随沉积时间的延长而增大.这种电学特性变化主要是由Au,Si-NPA的表面形貌及成分出现变化引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程莉娜	河南工业大学理学院	4	2	1.0	1.0
2	富笑男	河南工业大学理学院	21	35	4.0	5.0
3	罗艳伟	河南工业大学理学院	14	15	3.0	3.0
4	王信春	河南大学特种功能材料教育部重点实验室	4	12	2.0	3.0
5	刘琨	河南工业大学理学院	23	36	4.0	4.0