化学机械抛光中的颗粒技术

• 作者: Brij M.Moudgil Kalyan S.Gokhale 刘晓斌 涂佃柳
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: CMP 多层金属化 研磨颗粒 设计
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 1-7
• 分类号: TN305.2
• 字数: 5209字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2011.02.001

摘要

多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段.在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,而化学机械抛光工艺能在每道工序之前将晶圆表面抛光.化学机械抛光主要是通过使用颗粒研浆去除材料来实现晶圆抛光.除了研浆本身的化学性质外,研浆的效果也受研磨颗粒性质的影响.如果我们能够更好的理解研磨颗粒的特性和颗粒研磨机制,将会有助于提高化学机械抛光效果.本文主要讨论了颗粒形成、研浆稳定性、颗粒润滑以及化学机械抛光中颗粒设计中的最新进展.