CdTe纳米线/纳米管薄膜电沉积法制备研究

• 作者: 吴敏 张世超 林若虚
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电沉积 CdTe 纳米线 纳米管 镍箔
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 210-214
• 分类号: TB383|TN304.25
• 字数: 3381字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.03.008

摘要

使用电沉积方法,在碱性体系中Ni箔表面制得直径约为100nm的CdTe纳米线/纳米管薄膜,并系统研究了电位、镀液浓度及热处理对于该材料微观形貌的影响.XRD结果证明,未经退火处理的薄膜由CdTe相和单质Cd相组成,经300℃N2气氛保护条件下退火4h后得到的薄膜仅含CdTe相,并有效提高结晶度.SEM结果显示薄膜的微观形貌为纳米线结构,TEM结果进一步证明CdTe纳米线内部为中空结构,形成纳米线/纳米管结构.另外,电沉积实验结果表明,沉积电位对于CdTe纳米线/纳米管结构的形成具有决定作用,表现为阴极电位越正越有利于纳米线结构的形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张世超	北京航空航天大学材料科学与工程学院	63	547	11.0	22.0
2	吴敏	北京航空航天大学材料科学与工程学院	2	8	2.0	2.0
3	林若虚	北京航空航天大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0