基于RF接收机的过冲性能优化分析

• 作者: 刘海涛 张保宁 张浩 朱德政 谢书珊 邓青
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 过冲 CMOS结构开关 电荷 频率 幅度
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 964-968
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.12.013

摘要

可变增益控制是RF接收机的通用功能,它包括程控衰减器和放大器.可编程增益控制单元一般采用CMOS结构的开关器件.采用半导体制造技术制造的CMOS结构开关器件存在非理想特性,其中开关切换过程残留电荷是一种非理想特性.如果CMOS开关器件位于信号通路,开关切换残留电荷会传导到下一级电路,从而影响系统的瞬态性能,干扰RF接收机对获取信号的判断.通过在技术上的设计来减小开关过冲是CMOS结构开关器件的设计难点之一.针对这一特性,进行了理论分析并提出了解决方案.通过对几种解决方案的对比,给出了各自的特点.最后通过差分抑制过冲的实测结果分析,表明此方法具备较优效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢书珊		6	8	1.0	2.0
2	朱德政		3	0	0.0	0.0
3	邓青		6	3	1.0	1.0
4	刘海涛		7	6	2.0	2.0
5	张浩		9	3	1.0	1.0
6	张保宁		3	24	1.0	3.0