半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 刘沁 张治国 曹顺 李金凤
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  905-908
    摘要: 基于标准CMOS工艺设计了一款集成热真空传感器、运算放大器、逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)、数字信号处理电路的传感器系统.工作在恒电流模式的传感器,气压敏感区间为1~105 Pa.运...
  • 作者: 邓海丽 郭文胜 陈君涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  909-912,933
    摘要: 提出了一种基于负阻单片微波集成电路的新型压控振荡器(VCO)的设计方法,即负阻电路采用GaAs HBT工艺设计流片,调谐选频电路采用薄膜混合集成工艺制作.利用微封装技术将二者结合构成完整的V...
  • 作者: 刘智辉 王永刚 田雷
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  913-917
    摘要: 基于硅压阻效应原理,单片集成三轴加速度传感器通过双惯性质量块和六梁结构组成敏感结构,其中四个L型梁对称布置用来测量x和y轴加速度;中间的对称双梁测量z轴加速度.通过工艺兼容技术,在同一芯片上...
  • 作者: 冯军 李伟 窦建华 章丽 茅俊伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  918-922
    摘要: 采用0.18μm CMOS工艺设计了一款6.25 GHz锁相环倍频器,该倍频器适用于12.5 Gbit/s半速率复接的串行器/解串器(SerDes)发射系统.该锁相环倍频器不仅为SerDes...
  • 作者: 尹以安 毛明华 王后锦 王维韵
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  923-927
    摘要: 采用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,以此作为AlGaInP红光发光二极管(LED)的电流扩展层.研究了该LED结构中,不同的芯粒尺寸对ITO电流扩展的影响.结果表明,在电极尺...
  • 作者: 刘楠 杨志欣 檀柏梅 田巧伟 高宝红 黄妍妍
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  928-933
    摘要: 化学机械抛光后,Si片表面残留有机物会影响清洗的综合效果,并会造成器件失效.针对上述问题提出了一种新的清洗方案,用金刚石膜电化学法制备氧化性强的过氧焦磷酸盐溶液,可有效氧化分解表面有机沾污,...
  • 作者: 严婷婷 卞宝安 李果华 杨健 牛源 陈如龙 鲁科
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  934-938
    摘要: 常规太阳电池表面由于扩散浓度高,导致载流子复合严重,电池转换效率很难提高,目前高方阻密栅线工艺是提高产业化太阳电池转换效率的重要途径之一.通过扩散工艺很容易实现高方阻,难点在于优化电池正面网...
  • 作者: 季静佳 张松 李果华 王振交 赵素香
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  939-942,968
    摘要: 高效、低成本是目前硅太阳电池追求的主要目标.多晶硅太阳电池成本低,但其电性能较差.背面钝化及局部背接触是提高多晶硅太阳电池电性能的主要技术.通过采用SiO2/SiNx叠层膜作为背钝化介质层,...
  • 作者: 李国强 杨慧 林鑫
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  943-949
    摘要: 提出了一种确定GaN外延薄膜中位错种类的方法.通过化学试剂对GaN薄膜表面进行选择性腐蚀,并用X射线衍射仪(XRD)及原子力显微镜(AFM)对腐蚀前后的薄膜进行了表征,确立了GaN薄膜表面的...
  • 作者: 吴韵秋 唐宗熙 张彪 杜倚诚 黄锦沛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  950-954
    摘要: 针对现代毫米波接收机和雷达系统高抗干扰能力的需求,分析了具有镜像频率抑制能力的谐波混频器的基本原理,提出了一种Ka波段镜像抑制谐波混频器的设计方案.该混频器由两个混频单元组成,利用输出信号的...
  • 作者: 吴景峰 樊永山 沈林泽 胡松祥
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  955-958
    摘要: 针对高线性功率放大器的实现途径,设计了一款应用模拟预失真技术与自适应预失真技术相结合的功率放大器.首先对预失真技术进行了原理性分析,阐述了模拟预失真技术的工作原理;然后给出了线性功率放大器的...
  • 作者: 刘士奇 徐军 杜倚诚 胡皓全
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  959-963
    摘要: 利用负阻振荡的工作原理,使用ADS和HFSS仿真软件对K波段介质振荡器进行了仿真设计,加工并进行了测试,同时设计了一个双工器,使基波和谐波分别从两个端口输出.通过实测结果可以看出,双工器很好...
  • 作者: 刘海涛 张保宁 张浩 朱德政 谢书珊 邓青
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  964-968
    摘要: 可变增益控制是RF接收机的通用功能,它包括程控衰减器和放大器.可编程增益控制单元一般采用CMOS结构的开关器件.采用半导体制造技术制造的CMOS结构开关器件存在非理想特性,其中开关切换过程残...
  • 作者: 刘殿龙 徐冬梅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  969-973
    摘要: 铜基引线框架氧化时先后分别生成Cu2O和CuO,形成结构为CuO/Cu2O/Cu的氧化产物.通过称重法估算氧化膜的厚度,通过电桥法测量电阻值评估引线框架的氧化程度.在引线框架的氧化初期,氧化...
  • 作者: 王文娟 胡菊萍 项道才
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  974-978
    摘要: 固态微波功率器件由于其大功率、高频率、宽频带的特性,使其微波电参数的测试成为一大难点,特别是对非同轴、无内匹配的功率器件而言,微波参数的测量难度更大.介绍了固态微波功率器件测试的整体方案,针...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  979-980
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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