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半导体技术2012年第11期出版文献
出版文献量（篇）
5044
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24788
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
总被引数（次）
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 硅通孔(TSV)结构是三维电路集成和器件封装的关键结构单元.TSV结构是由电镀铜填充的Cu-Si复合结构,该结构具有Cu/Ta/SiO2/Si多层界面,而且界面具有一定工艺粗糙度.TSV结构...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 介绍了一种基于BiCMOS工艺的恒温晶振专用集成电路芯片.该芯片集成了分立式恒温晶振的大部分有源和无源器件,包括稳压、振荡、控温和输出缓冲等单元电路.稳压、振荡等对相位噪声影响较大的电路其关...
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3. 逆导型IGBT发展概述刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 逆导型绝缘栅双极型晶体管是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构以及快恢复二极管(FRD)元胞结构集成在同一个芯片上.逆导型IGBT器件具有小尺寸、高功率密度、低成本、高可靠性等诸多...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 浅沟槽隔离(STI)工艺由于具有制程温度低、无鸟嘴效应、表面平坦化好等优点而成为MOS器件的主要隔离技术.使用TCAD软件分别对采用65 nm工艺具有不同STI宽度(WSTI)的nMOS/p...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 亚16 nm以下的互连技术中需要采用电阻率低、阻挡性能好、与Cu粘附性好并同时具有较好抛光性能的新型扩散阻挡层.利用自制2英寸图形片,对Mo和CoMo新型扩散阻挡层Cu互连结构图形片的抛光性...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 氧化剂是铜互连化学机械抛光液的重要组成部分,是决定抛光速率和平坦化效率的重要影响因素.双氧水(H2O2)是抛光液中最常用的氧化剂,其稳定性是评估抛光液性能的重要指标之一,直接关系到抛光液的寿...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 磷化铟(InP)是重要的化合物半导体材料,在微波、毫米波器件以及抗辐照太阳电池等领域有着广泛的应用.由于InP材料的硬度较小,并且易于解理,因此InP材料的切割具有较大的技术难度.对InP晶...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 采用磁控溅射法在较低温度下制备出室温电阻率为3.4×10-4Ω·cm,可见光范围内平均透过率为84％的掺铝的氧化锌(ZnO∶Al (AZO))薄膜.通过乙酸和盐酸溶液的腐蚀制备绒面AZO薄膜...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 通过分析对比蓝宝石衬底和金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的优缺点,指出了金属所具有的独特优异的物理及化学性能,以及金属作为衬底外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的重大意义.详细介绍了国内外在...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 并行集束型半导体装备的性能分析和产能预测是一项非常困难的任务,建立装备性能模型是解决这一问题的有效方法之一.首先用时序图描述了集束型半导体装备加工腔体和机械手在稳态阶段的使用情况,根据建立的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 设计与实现了一种应用于X波段(10.5 ～ 12 GHz)汽车雷达测速仪的低噪声放大器(LNA),该放大器选用NEC公司的GaAs FET (NE3503M04)低噪声放大管.直流偏置电路采...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 铁电存储器(ferroelectric random access memory,FRAM)是利用铁电材料可以自发极化,并且极化强度可以随外电场的作用而重新取向的特性为存储机制的一种非易失性...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 根据Doherty技术,设计了一款工作于宽带码分多址信号(W-CDMA)下行频段的改进型高效率功率放大器.在设计过程中,将功放管的膝点电压效应考虑在内并通过减小此效应来提升回退点效率,此外,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 对穿透硅通孔(TSV)互连结构的湿-热应力问题进行了有限元分析.首先模拟了在二氧化硅和氢基半硅氧烷(HSQ)低k材料TSV互连结构在回流焊过程中,因热膨胀系数不匹配而引入的热应力,然后预测了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 为研究机器模式(MM)及人体模式(HBM)静电放电试验对LED特性的影响,参考国际标准对半导体元件的静电放电测试要求,对LED样品分别进行MM及HBM静电放电试验.每次静电测试前后均对样品进...
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16. FPGA中六倍连线资源的测试刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年11期页码:摘要： 通过分析SPARTAN-Ⅱ FPGA器件的结构及其连线资源分布特点,寻找一种能够快速配置测试、具有高测试覆盖率的测试配置设计.所提出的把六倍资源连线分别配置成多条横向和纵向环形链路的测试配置...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
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半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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