InP晶体多线切割工艺研究

• 作者: 李保军 林健 马玉通
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟晶体 多线切割 几何参数 切割速度 线张力
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体先进制造技术
• 页码范围: 855-857
• 分类号: TN305.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.11.007

摘要

磷化铟(InP)是重要的化合物半导体材料,在微波、毫米波器件以及抗辐照太阳电池等领域有着广泛的应用.由于InP材料的硬度较小,并且易于解理,因此InP材料的切割具有较大的技术难度.对InP晶体的多线切割工艺进行了研究,并重点分析了多线切割工艺中工艺参数设置(如切割速度、切割线张力等)对InP切割片几何参数的影响.实验结果表明,InP不但可以采用多线切割技术进行切割,而且通过调整切割工艺参数,如适当提高切割速度、增加切割线张力等可以获取几何参数精度较高的InP切割片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马玉通	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	31	4.0	5.0
2	林健	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	29	3.0	5.0
3	李保军	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	73	4.0	6.0