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半导体技术2012年第4期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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总被引数（次）
24788
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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24788
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 通过分析砷化镓(GaAs)器件的电离辐射剂量率辐照机理和效应,结合电路结构,描述了砷化镓10 bit数模转换器(DAC)的电离辐射剂量率辐射效应、抗辐射设计和辐照实验.在电路设计上,10 b...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理.通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性.在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 介绍了当前绝缘栅双极晶体管(IGBT)的几种结构及沟槽型IGBT的发展现况,分析了高电压沟槽型非穿通(NPT) IGBT的结构及工艺特点.通过理论分析计算出初步器件的相关参数,再利用ISE仿...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 使用硅溶胶、pH值调节剂、表面活性剂和氧化剂等组分配制抛光液,通过超声波发生器雾化后,在负压下导入抛光区域界面进行CMP实验,并在相同的抛光参数下,与SSP-L抛光液常规抛光进行了比较.结果...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 在LED制造工艺中,金刚石研磨液是一种关键的耗材,用于蓝宝石衬底的研磨和外延片的背减薄,但目前金刚石研磨液均以有机物作为分散介质.采用水为分散介质、多晶金刚石微粉为磨料,在相同研磨条件下,研...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件.它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区.同时新开发了穿...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程.通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 采用自主开发的4H-SiC高温氧化技术,并结合低压化学气相淀积方法,在器件表面形成较为致密的氧化层,降低了器件的反向泄漏电流,提高了器件的击穿电压,同时也提高了器件的输出功率及功率增益,为器...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 采用金属有机气相外延(MOCVD)方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGaN材料.通过优化AlN和AlGaN材料的生长温度、生长压力和Ⅴ族元素/Ⅲ族元素物质的量比(nⅤ...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 用分子束外延方法制备了具有GaInAs组分渐变缓冲层和不具有GaInAs组分渐变缓冲层的Ga0.9In0.1As/GaAs结构的外延材料.利用高分辨率X射线衍射法(HRXRD)对制备的两种样...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 提出了一种新型超宽带( UWB)小型化微带滤波器.这种结构采用多个短路支节并联于主传输线上,短路支节长度为四分之一波长.采用一种新型等效电路对其进行分析、模拟,其中的主传输线、并联支节线以及...
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12. X波段大功率T/R组件刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 采用公共支路、发射支路、接收支路和电源调制及控制电路,设计制作了一种X波段大功率T/R组件.在组件中,利用低温共烧陶瓷(LTCC)基板实现了多层互连,采用Wilkinson功率合成器实现了大...
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13. 并联电容对DE类功率放大器的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： DE类功率放大器既综合了D类和E类功率放大器的优点,继承了开关型功率放大器高效率的特征,又同时避免了D类和E类功率放大器的缺陷,使其成为了人们关注和研究的热点.随着工作频率的升高,MOSFE...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 针对化学机械研磨(CMP)过程非线性、时变和不易在线测量的特性,提出了基于径向基函数(RBF)神经网络和微粒群( PSO)算法的CMP过程run-to-run (R2R)预测控制器NNPR2...
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15. LED光源光衰规律研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 光衰是反映LED性能的重要指标,而LED的光衰是一个很漫长的过程,用实测数据描绘光衰曲线是不现实的.通过对LED光衰的原因、现象进行分析,在封装材料的功能退化符合阿伦尼乌斯定律的前提下,推出...
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16. 凸点晶圆测试共性问题研究与应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 集成电路“轻、薄、小”的趋势使新封装技术在产业中不断得以应用.晶圆凸点工艺作为新封装技术的关键工序尤为重要,相应的凸点晶圆测试方案是产业面临的现实问题.针对凸点晶圆测试中出现的新问题和技术难...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验.试验采用步进应力加速...
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18. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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