高压Trench IGBT的研制

• 作者: 唐红祥 孙向东 孙永生 曹亮 计建新
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电力半导体器件 高压 沟槽 非穿通 绝缘栅双极晶体管
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 新型半导体器件
• 页码范围: 258-262
• 分类号: TN322.8
• 字数: 3078字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.04.003

摘要

介绍了当前绝缘栅双极晶体管(IGBT)的几种结构及沟槽型IGBT的发展现况,分析了高电压沟槽型非穿通(NPT) IGBT的结构及工艺特点.通过理论分析计算出初步器件的相关参数,再利用ISE仿真软件模拟器件的结构及击穿和导通特性,结合现有沟槽型DMOS工艺流程,确定了器件采用多分压环加多晶场板的复合终端、条状元胞、6μm深度左右沟槽、低浓度背面掺杂分布与小于180 μm厚度的器件结构,可以很好地平衡击穿特性与导通特性对器件结构的要求.成功研制出1 200 V沟槽型NPT系列产品,并通过可靠性考核,经过电磁炉应用电路实验,结果表明IGBT器件可稳定工作,满足应用要求.该设计可适合国内半导体生产线商业化生产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐红祥		1	5	1.0	1.0
2	计建新		1	5	1.0	1.0
3	孙向东		1	5	1.0	1.0
4	孙永生		1	5	1.0	1.0
5	曹亮		1	5	1.0	1.0