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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的新进展(续)
    作者： 赵正平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  1-8
    摘要：
  • 2. 重大专项政策对集成电路产业创新影响
    作者： 宋朝瑞 赵宇航 赵建忠 郑惠强 陈强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  9-12
    摘要： 分析了中国集成电路产业存在的问题,基于国家科技重大专项政策的科技含量高、组织规模大、自主创新和健全产业链等特点,剖析了科技重大专项政策在创新组织管理模式、引导和健全上下游产业链、引进和培养人...
  • 3. 用于W-LAN的5.8GHz InGaP/GaAs HBT MMIC线性功率放大器
    作者： 张韧 杨洪文 阎跃鹏 鲍景富
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  13-17,28
    摘要： 介绍了一种应用于W-LAN系统的5.8 GHz InGaP/GaAs HBT MMIC功率放大器.该功率放大器采用了自适应线性化偏置电路来改善线性度和效率,同时偏置电路中的温度补偿电路可以抑...
  • 4. 基于RHBD技术的深亚微米抗辐射SRAM电路的研究
    作者： 刘梦新 吕荫学 王一奇 赵博华 赵发展 韩郑生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  18-23
    摘要： 研究了目前业内基于抗辐射加固设计(RHBD)技术的静态随机存储器(SRAM)抗辐射加固设计技术,着重探讨了电路级和系统级两种抗辐射加固方式.电路级抗辐射加固方式主要有在存储节点加电容电阻、引...
  • 5. 基于半导体微环谐振器的光滤波器设计方法
    作者： 张彬 张淑梅
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  24-28
    摘要： 提出了一种完整的基于徽环谐振器的光学滤波器的系统设计方法.使用该方法可以从一定滤波特性参数出发,计算得到每个环之间的耦合系数,再根据耦舍系数和器件尺寸的关系得到具体的器件尺寸,从而实现光学滤...
  • 6. 碱性抛光液在CMP过程中对低k介质的影响
    作者： 刘效岩 刘玉岭 王立冉 胡轶 邢哲
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  29-32
    摘要： 以p型<111>硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺.经过化学机械抛光(CMP)过程,考察实验前后低k材料介电性能的变化.实验中分别使用阻挡层抛光液、Cu抛光液以及新型...
  • 7. GLSI钨插塞CMP碱性抛光液组分优化的研究
    作者： 刘利宾 刘玉岭 孙鸣 林娜娜 邢哲
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  33-36,41
    摘要： 钨插塞化学机械平坦化(CMP)是极大规模集成电路(GLSI)铜互连多层布线的关键工艺之一.首先研究了钨在碱性条件下化学机械抛光机理；接着采用单因素实验方法分析了抛光液组分中纳米SiO2水溶胶...
  • 8. 低温缓冲层对MBE生长ZnTe材料性能的改善
    作者： 刘超 崔利杰 张家奇 曾一平 赵杰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  37-41
    摘要： 研究了低温缓冲层对在GaAs (001)衬底上用分子束外延(MBE)生长ZnTe薄膜晶体质量的影响.发现插入低温缓冲层后ZnTe的结晶质量、表面形貌和发光质量都得到了显著的提高,双晶X射线摇...
  • 9. 添加Sb和LaB6对Sn3.0Ag0.5Cu/Cu界面IMC生长的影响
    作者： 廖小雨 李国元 陈强 龙琳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  42-46,73
    摘要： 研究了Sb和稀土化合物的添加对Sn3.0Ag0.5Cu无铅焊料焊接界面金属间化合物层生长的影响.研究结果表明,固态反应阶段界面化合物层的生长快慢排序如下:v(SAC0.4Sb0.1LaB6/...
  • 10. 硅基参数对微带带通滤波器传输特性的影响
    作者： 张淑莉 彭玉峰 闫军喜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  47-50,67
    摘要： 随着半导体工艺技术和IC设计技术的飞速发展,硅基滤波器技术也不断更新换代.滤波器传输性能取决于基片介电常数、损耗和厚度等参数.研究了硅基不同厚度、损耗以及掺杂浓度等情况下,中心频率为5.75...
  • 11. 双频带介质集成波导滤波器的设计
    作者： 吴韵秋 唐宗熙 张彪 赵世巍 邓攀
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  51-54
    摘要： 介绍了一种双频带带通滤波器,该滤波器源与负载之间的两条通路用来实现两个频带,且滤波器每条通路的阶数和带宽都可以灵活设计.为了实现小体积且方便与平面电路集成,滤波器用介质集成波导设计,采用折叠...
  • 12. 基于CST与ADS的介质谐振振荡器的设计
    作者： 赵惠昌 陈智超
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  55-58
    摘要： 分析了介质谐振振荡器的起振和稳频的原理,研究了一种低相位噪声的介质谐振振荡器的设计方法.以X波段为例,利用CST Microwave Studi0 2010软件仿真了微带线与介质谐振器耦合的...
  • 13. 一款高精度大衰减量单片数控衰减器
    作者： 刘志军 高学邦
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  59-62
    摘要： 介绍了一款高精度大衰减量单片数控衰减器的主要技术指标和设计方法.电路设计基于Agilent ADS微波软件设计环境,采用GaAs HFET工艺技术实现.对开关器件建模流程和数控衰减器电路设计...
  • 14. 倒装陶瓷球栅阵列电子封装的热分析
    作者： 周立华 杨少柒 罗成 谢秀娟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  63-67
    摘要： 建立了倒装陶瓷球栅阵列(flip chip ceramic ball grid array,FC-CBGA)封装的三维热模型.在5W热负荷下,比较了裸芯片式、盖板式和盖板加装热沉三种情况下芯...
  • 15. 基于原子力显微镜的微桥机械特性测量
    作者： 丁喜冬 傅刚 曾荣耀 郑显义 陈环
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  68-73
    摘要： 研究了基于原子力显微镜( AFM)的微桥机械特性的测量方法.通过微机电系统(MEMS)技术制备了可用静电力驱动进行机械振动的金属微桥.利用一套改进的商用AFM实验装置对测量方法进行了优化,并...
  • 16. 重频光脉冲对半绝缘GaAs光导开关损伤分析
    作者： 向珊 戴慧莹 施卫
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  74-77
    摘要： 通过波长为1064 nm的重频激光光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关损伤测试实验,观察脉冲激光触发过程中光电导开关电阻率的变化,对比低重频(＜1 kHz)和高重频的激光脉冲对GaAs光电导开关...
  • 17. 化学染色法在pn结分析中的应用研究
    作者： 金波 马万里
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  78-82
    摘要： 化学染色法是pn结分析中较普遍的方法,不同的化学染色法所显现出pn结的剖面形貌会受到化学试剂、pn结固有性质、染色工艺参数的影响.研究了常用的铬酸溶液染色法、醋酸溶液染色法、BOE溶液染色法...
  • 18. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  82,86-88
    摘要：
  • 19. 晶体管中子损伤常数的测量以及不确定度分析
    作者： 刘岩 李达 杨善潮 林东生 王桂珍 白小燕 金晓明
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  83-86
    摘要： 在西安脉冲反应堆上,利用自建的晶体管放大倍数在线测试系统测量了型号为2N2222A的晶体管放大倍数,获得了放大倍数随中子注量的变化曲线.晶体管放大倍数的倒数和中子注量之间有良好的线性关系,利...
  • 20. 新春寄语
    作者： 《半导体技术》杂志社
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年1期
    页码:  前插1
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

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