重频光脉冲对半绝缘GaAs光导开关损伤分析

• 作者: 向珊 戴慧莹 施卫
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半绝缘砷化镓 重复频率 损伤阈值 电阻率 微损伤累积
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与测试技术
• 页码范围: 74-77
• 分类号: TN252
• 字数: 2090字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.01.016

摘要

通过波长为1064 nm的重频激光光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关损伤测试实验,观察脉冲激光触发过程中光电导开关电阻率的变化,对比低重频(＜1 kHz)和高重频的激光脉冲对GaAs光电导开关芯片的损伤阈值,分析了不同重复频率的激光脉冲引起光导开关芯片材料光损伤的主要原因,并探讨了损伤机理.研究表明,在重复频率激光作用下GaAs光导开关芯片材料的破坏阈值比在单脉冲作用下低,且不同重复频率的激光辐照下材料表面的温升速率不同.当激励光脉冲重复频率较低(＜1 kHz)时,芯片内的温升效应不显著,此时光损伤与重复频率无明显依赖关系,主要损伤机制为微损伤累积；而当重复频率较高时,开关材料内热积累引起的损伤占主要地位.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施卫	西安理工大学理学院	85	925	17.0	25.0
2	戴慧莹	空军工程大学理学院	10	17	2.0	3.0
3	向珊	空军工程大学理学院	2	2	1.0	1.0