薄膜SOI上大于600V LDMOS器件的研制

• 作者: 俞跃辉 夏超 宋朝瑞 徐大伟 王中健 程新红
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 横向扩散金属氧化物半导体 击穿电压 线性渐变掺杂 注氧键合
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 新型半导体器件
• 页码范围: 254-257
• 分类号: TN386
• 字数: 1500字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.04.002

摘要

针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理.通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性.在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond) SOI衬底上开发了与CMOS工艺兼容的制备流程.为实现均一的横向电场,设计了具有线性渐变掺杂60μm漂移区的LDMOS结构.为提高纵向耐压,利用场氧技术对硅膜进行了进一步减薄.流片实验的测试结果表明,器件关态击穿电压可达600 V以上(实测832 V),开态特性正常,阈值电压提取为1.9V,计算开态电阻为50 Ω·mm2.