Cu互连Mo基新型扩散阻挡层的化学机械抛光

• 作者: 屈新萍 王敬轩 王永伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 铜互连 扩散阻挡层 钴钼合金 碟形缺陷
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体先进制造技术
• 页码范围: 846-849
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.11.005

摘要

亚16 nm以下的互连技术中需要采用电阻率低、阻挡性能好、与Cu粘附性好并同时具有较好抛光性能的新型扩散阻挡层.利用自制2英寸图形片,对Mo和CoMo新型扩散阻挡层Cu互连结构图形片的抛光性能进行了初步研究.使用扫描电子显微镜、原子力显微镜及白光干涉仪观察表面与截面微观形貌；用电阻测试研究抛光后各不同区域铜线深度变化.结果显示,经过相同的酸性抛光液(pH值为4)抛光后,相比于Mo样品,CoMo样品具有较小的Cu碟形缺陷和较小的表面粗糙度.抛光后CoMo样品具有良好的抛光表面均匀性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屈新萍	复旦大学微电子学系	19	84	5.0	8.0
2	王永伟	复旦大学微电子学系	1	1	1.0	1.0
3	王敬轩	复旦大学微电子学系	1	1	1.0	1.0