STI应力对CMOS器件影响的模拟研究

• 作者: 宋雯 戚帆 檀柏梅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 浅沟槽隔离 应力 TCAD软件 版图设计 器件建模
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 新型半导体器件
• 页码范围: 842-845,854
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.11.004

摘要

浅沟槽隔离(STI)工艺由于具有制程温度低、无鸟嘴效应、表面平坦化好等优点而成为MOS器件的主要隔离技术.使用TCAD软件分别对采用65 nm工艺具有不同STI宽度(WSTI)的nMOS/pMOS器件进行了工艺和器件仿真.结果表明,当WsTI=0.2μm时,压应力值为-30 MPa；当WSTI=0.75 μm时,压应力值为-136 MPa,沟道中的压应力随STI宽度的增加而逐渐变大；当WSTI从0.2 μm增大到0.75μm时,nMOS的Idsat降低了约7.1％,pMOS的Idsat提高了约6.67％,即随着STI宽度的增加nMOS的Idsat降低,pMOS的Idsat增加.因此,在版图设计中,可以通过改变STI宽度的方法来提高器件的性能.另外,在器件模型中应考虑加入WSTI参数,以达到对电路性能更精确的仿真.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子技术与材料研究所	85	534	13.0	18.0
2	宋雯	河北工业大学微电子技术与材料研究所	2	6	2.0	2.0
3	戚帆	河北工业大学微电子技术与材料研究所	2	6	2.0	2.0